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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-118 | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.92 |
| 标称电路换相断开时间： | 10 µs | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V |
| JEDEC-95代码： | TO-209AE | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 通态非重复峰值电流： | 9900 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最大通态电流： | 225000 A | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 550 A |
| 断态重复峰值电压： | 400 V | 重复峰值反向电压： | 400 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S30DGF4B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 225000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele |
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| S30DGF6A0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 205000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
|
| S30DGF6A0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 205000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
|
| S30DGF6B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 205000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
|
| S30DGF6B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 205000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
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| S30DGF8A0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 205000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele |
|
| S30DGF8A0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 205000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele |
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| S30DGF8B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 205000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele |
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| S30DGFH2B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 225000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Ele |
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| S30DGFH2B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 225000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Ele |
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