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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.84 |
| 配置： | SINGLE | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-209AE | JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 550 A | 断态重复峰值电压： | 200 V |
| 重复峰值反向电压： | 200 V | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S30DGH2B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 300000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Ele |
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| S30DGH2B0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 Element, TO-209AE |
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| S30DGH4A0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 325000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele |
|
| S30DGH4A0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Element, TO-209AE |
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| S30DGH4B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 300000mA I(T), 400V V(DRM), 400V V(RRM), 1 Ele |
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| S30DGH6A0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 300000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
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| S30DGH6A0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AE |
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| S30DGH6B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 280000mA I(T), 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Ele |
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| S30DGH6B0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 600V V(DRM), 600V V(RRM), 1 Element, TO-209AE |
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| S30DGH8A0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 300000mA I(T), 800V V(DRM), 800V V(RRM), 1 Ele |
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