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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | DISK BUTTON, O-CEDB-N2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.30.00.80 | 风险等级： | 5.78 |
| 标称电路换相断开时间： | 110 µs | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V | 最大维持电流： | 500 mA |
| JEDEC-95代码： | TO-200AB | JESD-30 代码： | O-CEDB-N2 |
| 最大漏电流： | 40 mA | 湿度敏感等级： | 1 |
| 通态非重复峰值电流： | 12500 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最大通态电流： | 665000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 封装主体材料： | CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | DISK BUTTON | 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 1050 A |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | END |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S30E12A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1115A I(T)RMS, 710000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 |
|
| S30E12B | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1050A I(T)RMS, 665000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 |
|
| S30E14A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1050A I(T)RMS, 665000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 |
|
| S30E14B | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 975A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E |
|
| S30E16A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1050A I(T)RMS, 665000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 |
|
| S30E16B | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 975A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E |
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| S30E18A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 975A I(T)RMS, 620000mA I(T), 1800V V(DRM), 1800V V(RRM), 1 E |
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| S30E20A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 975A I(T)RMS, 620000mA I(T), 2000V V(DRM), 2000V V(RRM), 1 E |
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| S30E2A | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1360A I(T)RMS, 865000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 El |
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| S30E2B | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 1220A I(T)RMS, 775000mA I(T), 200V V(DRM), 200V V(RRM), 1 El |
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