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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.75 | 配置： | SINGLE |
| 最大直流栅极触发电流： | 150 mA | JEDEC-95代码： | TO-209AE |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 125 °C |
| 封装主体材料： | METAL | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大均方根通态电流： | 550 A |
| 断态重复峰值电压： | 1000 V | 重复峰值反向电压： | 1000 V |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE |
| 端子位置： | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 触发设备类型： | SCR | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S30D10A0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D10B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
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| S30D10B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
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| S30D10B0FPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D10B0PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D12B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
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| S30D12B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
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| S30D12B0FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D12B0PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D14A0 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E |
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