是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Obsolete | 包装说明: | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 |
Reach Compliance Code: | compliant | HTS代码: | 8541.30.00.80 |
风险等级: | 5.75 | 配置: | SINGLE |
最大直流栅极触发电流: | 150 mA | JEDEC-95代码: | TO-209AE |
JESD-30 代码: | O-MUPM-H3 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 125 °C |
封装主体材料: | METAL | 封装形状: | ROUND |
封装形式: | POST/STUD MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
认证状态: | Not Qualified | 最大均方根通态电流: | 550 A |
断态重复峰值电压: | 1400 V | 重复峰值反向电压: | 1400 V |
表面贴装: | NO | 端子形式: | HIGH CURRENT CABLE |
端子位置: | UPPER | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 |
触发设备类型: | SCR | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S30D14B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 265000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E | |
S30D14B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 265000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E | |
S30D14B0FPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A | |
S30D14B0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A | |
S30D150A | THINKISEMI |
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30.0 Amperes Heat Sink Dual Common Anode Schottky Half Bridge Rectifiers | |
S30D150C | MOSPEC |
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Schottky Barrier Rectifiers | |
S30D150C | WON-TOP |
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Powerpack | |
S30D150CE | MOSPEC |
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Schottky Barrier Rectifiers | |
S30D16A0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E | |
S30D16A0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1600V V(DRM), 1600V V(RRM), 1 E |