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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-118 |
| 包装说明： | POST/STUD MOUNT, O-MUPM-H3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | HTS代码： | 8541.30.00.80 |
| 风险等级： | 5.83 | 配置： | SINGLE |
| 关态电压最小值的临界上升速率： | 500 V/us | 最大直流栅极触发电流： | 150 mA |
| 最大直流栅极触发电压： | 2.5 V | JEDEC-95代码： | TO-209AE |
| JESD-30 代码： | O-MUPM-H3 | JESD-609代码： | e0 |
| 通态非重复峰值电流： | 10500 A | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最大通态电流： | 275000 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | POST/STUD MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大均方根通态电流： | 550 A | 断态重复峰值电压： | 1400 V |
| 重复峰值反向电压： | 1400 V | 子类别： | Silicon Controlled Rectifiers |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | HIGH CURRENT CABLE | 端子位置： | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 触发设备类型： | SCR |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S30D14A0FPBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D14A0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30D14B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 265000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E |
|
| S30D14B0F | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 265000mA I(T), 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 E |
|
| S30D14B0FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
|
| S30D14B0PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1400V V(DRM), 1400V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D150A | THINKISEMI |
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30.0 Amperes Heat Sink Dual Common Anode Schottky Half Bridge Rectifiers |
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| S30D150C | MOSPEC |
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Schottky Barrier Rectifiers |
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| S30D150C | WON-TOP |
获取价格 |
Powerpack |
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| S30D150CE | MOSPEC |
获取价格 |
Schottky Barrier Rectifiers |
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