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| 生命周期： | Contact Manufacturer | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.10.00.80 |
| 风险等级： | 5.76 | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 0.85 V | 最大非重复峰值正向电流： | 275 A |
| 最高工作温度： | 125 °C | 最大输出电流： | 30 A |
| 最大重复峰值反向电压： | 100 V | 子类别： | Rectifier Diodes |
| 表面贴装： | NO | 技术： | SCHOTTKY |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| S30D100A | THINKISEMI |
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30.0 Amperes Heat Sink Dual Common Anode Schottky Half Bridge Rectifiers |
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| S30D100C | WON-TOP |
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Powerpack |
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| S30D100PT | CTC |
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Schottky Barrier Rectifier |
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| S30D10A0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 280000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
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| S30D10A0PBF | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D10B0 | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
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| S30D10B0F | INFINEON |
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Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 E |
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| S30D10B0FPBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D10B0PBF | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 1000V V(DRM), 1000V V(RRM), 1 Element, TO-209A |
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| S30D12B0 | INFINEON |
获取价格 |
Silicon Controlled Rectifier, 550A I(T)RMS, 275000mA I(T), 1200V V(DRM), 1200V V(RRM), 1 E |
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