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S2N7002KDW-C

更新时间： 2024-11-07 01:16:07

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描述
Dual -Channel MOSFET.

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S2N7002KDW-C 数据手册

S2ꢀ7002KDW

115mA, 60V

Dual ꢀ-Channel MOSFET

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A Suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

FEATURES

ꢀ

Low On-Resistance

Fast Switching Speed

Low-Voltage Drive

Easily Designed Drive Circuits

ESD Protected: 2KV

SOT-363

MARKING

D G

PACKAGE INFORMATION

Package

MPQ

Leader Size

7 inch

SOT-363

Millimeter

REF.

Min.

Max.

2.20

2.45

1.35

1.10

Min.

Max.

1.80

1.15

0.80

0.100 REF.

0.525 REF.

ORDER INFORMATION

Part Number

0.08

0.25

8°

Type

Lead (Pb)-free

Lead (Pb)-free and Halogen-free

1.10

0.10

1.50

0.35

0.650 TYP.

S2N7002KDW

S2N7002KDW-C

MAXIMUM RATINGS ^(T_A^{=25°C unless otherwise specified)}

Parameter

Symbol

Ratings

Unit

Drain-Source Voltage

V_DSS

V_GSS

I_D

Gate-Source Voltage

±20

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current ¹

115

°C

I_DP

800

Continuous Reverse Drain Current

Pulsed Reverse Drain Current ¹

Total Power Dissipation ²

I_DR

115

I_DRP

P_D

800

225

Operating Junction & Storage Temperature Range

T_J, T_STG

-55~150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T_A=25°C unless otherwise specified)

Parameter

Symbol

V_(BR)DSS

I_DSS

Min.

Typ.

Max.

Unit

Test Conditions

Drain-Source Breakdown Voltage

Zero Gate Voltage Drain Current

Gate-Source Leakage

V_GS=0, I_D=10µA

V_DS=60V, V_GS=0

V_DS=0, V_GS= ±20V

V_DS=10V_,I_D=1mA

V_GS=10V, I_D=0.5A

V_GS=4.5V, I_D=0.2A

V_DS=10V, I_D=0.2A

µA

I_GSS

±10

Gate Threshold Voltage

V_GS(th)

1.85

2.5

7.5

Static Drain-Source On-Resistance

R_DS(ON)

Ω

8.5

Forward Transfer Admittance ³

Turn-on Delay Time ³

Turn-on Rise Time ³

Turn-off Delay Time ³

Turn-off Fall Time ³

g_fs

T_d(on)

T_r(on)

T_d(off)

T_r(off)

C_iss

I_D=0.2A, V_DD=30V

V_GS=10V, R_L=103Ω

R_G=6Ω

Input Capacitance

V_DS=25V

_GS=0

f=1MHz

Output Capacitance

C_oss

C_rss

Reverse Transfer Capacitance

Notes:

1. Pw≦10µs, Duty cycle≦1%.

2. When mounted on a 1x0.75x0.062 inch glass epoxy board.

3. Pw≦300µs, Duty cycle≦1%.

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

21-Feb-2018 Rev. A

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S2N7002KW	SECOS	获取价格	N-Channel Enhancement MOSFET
S2N7002W	SECOS	获取价格	N-Ch Small Signal MOSFET
S-2-NIL-12V	PANASONIC	获取价格	4 AMP POLARIZED HIGH DENSITY RELAY
S-2-NIL-24V	PANASONIC	获取价格	4 AMP POLARIZED HIGH DENSITY RELAY
S-2-NIL-3V	PANASONIC	获取价格	4 AMP POLARIZED HIGH DENSITY RELAY
S-2-NIL-48V	PANASONIC	获取价格	4 AMP POLARIZED HIGH DENSITY RELAY
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S-2-NIL-6V	PANASONIC	获取价格	4 AMP POLARIZED HIGH DENSITY RELAY
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