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S2N7002KW

更新时间： 2024-11-23 09:10:23
品牌 Logo 应用领域
SECOS /
页数 文件大小 规格书
2页 538K
描述
N-Channel Enhancement MOSFET

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S2N7002KW 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.82Base Number Matches：1

S2N7002KW 数据手册

 浏览型号S2N7002KW的Datasheet PDF文件第2页 
S2N7002KW  
115mA, 60V  
N-Channel Enhancement MOSFET  
Elektronische Bauelemente  
RoHS Compliant Product  
A Suffix of “-C” specifies halogen & lead-free  
SOT-323  
FEATURES  
z Low on-resistance  
z Fast switching Speed  
z Low-voltage drive  
A
L
3
3
z Easily designed drive circuits  
z ESD protected:1500V  
Top View  
E
C B  
1
1
2
2
K
F
D
H
J
G
Millimeter  
Min. Max.  
Millimeter  
Min. Max.  
REF.  
REF.  
A
B
C
D
E
F
1.80  
1.80  
1.15  
0.80  
1.20  
0.20  
2.20  
2.45  
1.35  
1.10  
1.40  
0.40  
G
H
J
K
L
0.100 REF.  
0.525 REF.  
DEVICE MARKING: RK  
0.08  
-
0.25  
-
0.650 TYP.  
MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise specified)  
PARAMETER  
Drain – Source Voltage  
SYMBOL  
RATING  
UNIT  
V
VDSS  
VGSS  
ID  
60  
Continuous Gate – Source Voltage  
Continuous Drain Current  
Pulsed Drain Current  
±20  
V
115  
mA  
mA  
mA  
mA  
mW  
°C  
1
IDP  
800  
Continuous Reverse Drain Current  
Pulsed Reverse Drain Current  
Total Power Dissipation  
IDR  
115  
1
IDRP  
800  
2
PD  
225  
Channel & Storage Temperature Range  
Note:  
TCH, TSTG  
150, -55~150  
1. Pw≦10μS, Duty cycle≦1%  
2. When mounted on a 1x0.75x0.062 inch glass epoxy board  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise specified, per element)  
PARAMETER  
SYMBOL  
MIN  
TYP  
MAX  
UNIT  
TEST CONDITION  
OFF CHARACTERISTICS 2  
Drain-Source Breakdown Voltage  
Zero Gate Voltage Drain Current  
Gate-Source Leakage  
V(BR)DSS  
IDSS  
60  
-
-
-
-
-
V
VGS=0V, ID =10μA  
1.0  
±10  
μA  
μA  
VDS=60V, VGS=0V  
IGSS  
-
VDS=0V , VGS=±20V  
ON CHARACTERISTICS 2  
Gate-Threshold Voltage  
VGS(TH)  
RDS(ON)  
gFS  
1
-
1.85  
2.5  
7.5  
7.5  
-
V
Ω
VDS= VGS, ID =250μA  
-
-
-
VGS=10V, ID=0.5A  
Static Drain-Source On Resistance  
Forward Transfer Admittance  
-
VGS=5V, ID=0.05A  
*
80  
ms  
VDS=10V, ID=0.2A  
DYNAMIC CHARACTERISTICS  
Input Capacitance  
CISS  
COSS  
CRSS  
-
-
-
25  
10  
50  
25  
5
VDS=25V  
VGS=0V  
f=1MHz  
pF  
nS  
Output Capacitance  
Reverse Transfer Capacitance  
3.0  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
Turn-on Delay Time  
Td(ON)  
*
-
-
12  
20  
20  
30  
VDD=30V, I D=0.2A  
RL=150Ω, V Gs=10V, RG=10Ω  
Turn-off Delay Time  
Td(OFF) *  
* Pw≦300μS, Duty cycle≦1%  
10-Jan-2010 Rev. A  
Page 1 of 2  
12

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