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S2MHE3 PDF预览

S2MHE3

更新时间： 2024-10-29 21:17:15
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 光电二极管
页数 文件大小 规格书
3页 312K
描述
DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN, Rectifier Diode

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S2MHE3 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active零件包装代码：DO-214AA
包装说明：R-PDSO-C2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.57
其他特性：FREE WHEELING DIODE, HIGH RELIABILITY, LOW LEAKAGE CURRENT应用：GENERAL PURPOSE
配置：SINGLE二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：DO-214AA
JESD-30 代码：R-PDSO-C2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1最大非重复峰值正向电流：50 A
元件数量：1相数：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1.5 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：1000 V
最大反向恢复时间：2 µs表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：C BEND
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：40
Base Number Matches：1

S2MHE3 数据手册

 浏览型号S2MHE3的Datasheet PDF文件第2页浏览型号S2MHE3的Datasheet PDF文件第3页 
S2A thru S2M  
Vishay General Semiconductor  
Surface Mount Glass Passivated Rectifier  
Major Ratings and Characteristics  
IF(AV)  
VRRM  
IFSM  
IR  
1.5 A  
50 V to 1000 V  
50 A  
1.0 µA  
VF  
1.15 V  
Tj max.  
150 °C  
DO-214AA (SMB)  
Features  
Mechanical Data  
• Low profile package  
Case: DO-214AA (SMB)  
• Ideal for automated placement  
• Glass passivated chip junction  
• Low forward voltage drop  
• Low leakage current  
Epoxy meets UL-94V-0 Flammability rating  
Terminals: Matte tin plated leads, solderable per  
J-STD-002B and JESD22-B102D  
E3 suffix for commercial grade, HE3 suffix for high  
reliability grade (AEC Q101 qualified)  
• High forward surge capability  
Polarity: Color band denotes cathode end  
• Meets MSL level 1, per J-STD-020C  
• Solder Dip 260°C 40 seconds  
Typical Applications  
For use in general purpose rectification of power sup-  
plies, inverters, converters and freewheeling diodes  
for consumer, automotive and Telecommunication  
Maximum Ratings  
(TA = 25 °C unless otherwise noted)  
Parameter  
Symbol S2A  
S2B  
SB  
S2D  
SD  
S2G  
SG  
S2J  
SJ  
S2K  
SK  
S2M  
SM  
Unit  
Device marking code  
SA  
50  
Maximum repetitive peak reverse voltage  
Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
100  
200  
400  
600  
800  
1000  
V
V
V
A
A
35  
50  
70  
140  
200  
280  
400  
1.5  
50  
420  
600  
560  
800  
700  
Maximum DC blocking voltage  
100  
1000  
Maximum average forward rectified current at TL= 100 °C  
IF(AV)  
IFSM  
Peak forward surge current 8.3 ms single half sine-wave  
superimposed on rated load  
Operating and storage temperature range  
TJ,TSTG  
- 55 to + 150  
°C  
Document Number 88712  
15-Aug-05  
www.vishay.com  
1
123

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与S2MHE3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
S2M-HE3 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, LEAD FREE, PLASTIC, SMB, 2 PIN, R
S2MHE3/52T VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 P
S2M-HE3/52T VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 P
S2MHE3/5BT VISHAY

获取价格

 		DIODE 1.5 A, 1000 V, SILICON, RECTIFIER DIODE, DO-214AA, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, SMB, 2 P
S2MHE3_A/H VISHAY

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 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
S2MHE3_A/I VISHAY

获取价格

 		Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA, SMB, 2 PIN
S2MHE3-L MCC

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 		Tape : 3K/Reel, 48K/Ctn;
S2ML CJ

获取价格

 		SOD-123FL
S2ML HOTTECH

获取价格

 		SOD-123FL
S2M-L MCC

获取价格

 		1.5 Amp Glass Passivated Silicon Rectifier 50 to 1000 Volts

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