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S29PL127J70TFI011

更新时间: 2024-02-19 09:47:51
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
99页 3059K
描述
Flash, 8MX16, 70ns, PDSO56

S29PL127J70TFI011 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Active
包装说明:TSSOP, TSSOP56,.8,20Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.38最长访问时间:70 ns
启动块:BOTTOM/TOP命令用户界面:YES
通用闪存接口:YES数据轮询:YES
JESD-30 代码:R-PDSO-G56JESD-609代码:e1
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:16湿度敏感等级:3
部门数/规模:16,254端子数量:56
字数:8388608 words字数代码:8000000
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:8MX16封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP56,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小:8 words并行/串行:PARALLEL
电源:1.8,3/3.3 V编程电压:3 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
部门规模:4K,32K最大待机电流:0.000005 A
子类别:Flash Memories最大压摆率:0.07 mA
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL切换位:YES
类型:NOR TYPEBase Number Matches:1

S29PL127J70TFI011 数据手册

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S29PL-J  
128/128/64/32 Megabit (8/8/4/2M x 16-Bit)  
CMOS 3.0 Volt-Only, Simultaneous-Read/Write  
Flash Memory with Enhanced VersatileIO™ Control  
S29PL-J Cover Sheet  
Data Sheet  
Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion  
product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,  
Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.  
Publication Number S29PL-J_00  
Revision A  
Amendment 15  
Issue Date March 14, 2012  

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