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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TSSOP, TSSOP56,.8,20 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | 3A991.B.1.A | HTS代码： | 8542.32.00.51 |
| 风险等级： | 5.38 | 最长访问时间： | 110 ns |
| 启动块： | BOTTOM/TOP | 命令用户界面： | YES |
| 通用闪存接口： | YES | 数据轮询： | YES |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 功能数量： | 1 |
| 部门数/规模： | 512 | 端子数量： | 56 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 64MX8 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TSSOP |
| 封装等效代码： | TSSOP56,.8,20 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小： | 16 words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 电源： | 3/3.3 V | 编程电压： | 2.7 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 部门规模： | 64K |
| 最大待机电流： | 0.0001 A | 子类别： | Flash Memories |
| 最大压摆率： | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | INDUSTRIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| S29GL512S11TFV010 | SPANSION | Flash, 32MX16, 110ns, PDSO56 |
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| S29GL512S11TFV010 | INFINEON | High Performance Page Mode |
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| S29GL512S11TFV013 | INFINEON | High Performance Page Mode |
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| S29GL512S11TFV020 | INFINEON | High Performance Page Mode |
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| S29GL512S11TFV023 | INFINEON | High Performance Page Mode |
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| S29GL512S12DHBV10 | INFINEON | High Performance Page Mode |
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