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S29GL512S12TFIV13

更新时间: 2024-02-18 12:04:16
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 光电二极管内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
99页 3463K
描述
Flash, 64MX8, 120ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, MO-142BEC, TSOP-56

S29GL512S12TFIV13 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TSOP1包装说明:TSSOP, TSSOP56,.8,20
针数:56Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.1.AHTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.45最长访问时间:120 ns
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PDSO-G56
长度:18.4 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
功能数量:1部门数/规模:512
端子数量:56字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:64MX8封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TSSOP封装等效代码:TSSOP56,.8,20
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小:16 words并行/串行:PARALLEL
电源:3/3.3 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:1.2 mm部门规模:64K
最大待机电流:0.0001 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):2.7 V标称供电电压 (Vsup):3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子形式:GULL WING
端子节距:0.5 mm端子位置:DUAL
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:14 mmBase Number Matches:1

S29GL512S12TFIV13 数据手册

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GL-S MirrorBit® EclipseFlash  
Non-Volatile Memory Family  
S29GL01GS 1 Gbit  
S29GL512S 512 Mbit  
S29GL256S 256 Mbit  
S29GL128S 128 Mbit  
(128 Mbyte)  
(64 Mbyte)  
(32 Mbyte)  
(16 Mbyte)  
GL-S MirrorBit® Family Cover Sheet  
CMOS 3.0 Volt Core with Versatile I/O  
Data Sheet  
Notice to Readers: This document states the current technical specifications regarding the Spansion  
product(s) described herein. Each product described herein may be designated as Advance Information,  
Preliminary, or Full Production. See Notice On Data Sheet Designations for definitions.  
Publication Number S29GL_128S_01GS_00  
Revision 05  
Issue Date December 14, 2011  

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