是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP56,.8,20 |
针数: | 56 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.45 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 120 ns | 命令用户界面: | YES |
通用闪存接口: | YES | 数据轮询: | YES |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 | 长度: | 18.4 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | FLASH |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
部门数/规模: | 512 | 端子数量: | 56 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 64MX8 |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSSOP |
封装等效代码: | TSSOP56,.8,20 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | 页面大小: | 16 words |
并行/串行: | PARALLEL | 电源: | 3/3.3 V |
编程电压: | 2.7 V | 认证状态: | Not Qualified |
就绪/忙碌: | YES | 座面最大高度: | 1.2 mm |
部门规模: | 64K | 最大待机电流: | 0.0001 A |
子类别: | Flash Memories | 最大压摆率: | 0.08 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | INDUSTRIAL |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 0.5 mm |
端子位置: | DUAL | 切换位: | YES |
类型: | NOR TYPE | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S29GL512S12TFVV20 | INFINEON |
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S29GL512T | CYPRESS |
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1 Gbit (128 Mbyte), 512 Mbit (64 Mbyte) | |
S29GL512T10DHA010 | INFINEON |
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S29GL512T10DHA013 | INFINEON |
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S29GL512T10DHA020 | INFINEON |
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S29GL512T10DHAyyx | CYPRESS |
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1 Gbit (128 Mbyte), 512 Mbit (64 Mbyte) | |
S29GL512T10DHI010 | INFINEON |
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S29GL512T10DHI013 | INFINEON |
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S29GL512T10DHI020 | INFINEON |
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S29GL512T10DHI023 | INFINEON |
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