是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | TSOP1 | 包装说明: | TSSOP, TSSOP56,.8,20 |
针数: | 56 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.1.A | HTS代码: | 8542.32.00.51 |
风险等级: | 5.45 | 最长访问时间: | 120 ns |
命令用户界面: | YES | 通用闪存接口: | YES |
数据轮询: | YES | JESD-30 代码: | R-PDSO-G56 |
长度: | 18.4 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | FLASH | 内存宽度: | 8 |
功能数量: | 1 | 部门数/规模: | 512 |
端子数量: | 56 | 字数: | 67108864 words |
字数代码: | 64000000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 85 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 64MX8 | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSSOP | 封装等效代码: | TSSOP56,.8,20 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
页面大小: | 16 words | 并行/串行: | PARALLEL |
电源: | 3/3.3 V | 编程电压: | 2.7 V |
认证状态: | Not Qualified | 就绪/忙碌: | YES |
座面最大高度: | 1.2 mm | 部门规模: | 64K |
最大待机电流: | 0.0001 A | 子类别: | Flash Memories |
最大压摆率: | 0.08 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 标称供电电压 (Vsup): | 3 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | INDUSTRIAL | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.5 mm | 端子位置: | DUAL |
切换位: | YES | 类型: | NOR TYPE |
宽度: | 14 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
S29GL512S12TFIV20 | INFINEON |
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S29GL512S12TFIV23 | SPANSION |
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Flash, 64MX8, 120ns, PDSO56, 14 X 20 MM, LEAD FREE, MO-142BEC, TSOP-56 | |
S29GL512S12TFVV20 | INFINEON |
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S29GL512T | CYPRESS |
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1 Gbit (128 Mbyte), 512 Mbit (64 Mbyte) | |
S29GL512T10DHA010 | INFINEON |
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S29GL512T10DHA013 | INFINEON |
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S29GL512T10DHA020 | INFINEON |
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S29GL512T10DHAyyx | CYPRESS |
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1 Gbit (128 Mbyte), 512 Mbit (64 Mbyte) | |
S29GL512T10DHI010 | INFINEON |
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S29GL512T10DHI013 | INFINEON |
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