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S29GL128P90TFIR10

更新时间： 2024-01-06 21:36:46

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		PC 光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
82页	901K
描述
Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56

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S29GL128P90TFIR10 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	HTSSOP, TSSOP56,.8,20	针数：	56
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	3.93
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	90 ns
备用内存宽度：	8	命令用户界面：	YES
通用闪存接口：	YES	数据轮询：	YES
JESD-30 代码：	R-PDSO-G56	JESD-609代码：	e3
长度：	18.4 mm	内存密度：	134217728 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	1
湿度敏感等级：	3	功能数量：	1
部门数/规模：	128	端子数量：	56
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	128MX1
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	HTSSOP
封装等效代码：	TSSOP56,.8,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	8/16 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	260
电源：	3.3 V	编程电压：	3 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	部门规模：	128K
最大待机电流：	0.000005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.11 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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S29GL01GP

S29GL512P

S29GL256P

S29GL128P

Current Consumption (typical values)

Random Access Read (f = 5 MHz)

8-Word Page Read (f = 10 MHz)

Program/Erase

30 mA

1 mA

50 mA

1 µA

Standby

Program & Erase Times (typical values)

Single Word Programming

60 µs

15 µs

13.5 µs

0.5 s

Effective Write Buffer Programming (V_CC) Per Word

Effective Write Buffer Programming (V_HH) Per Word

Sector Erase Time (64 Kword Sector)

Document Number: 002-00886 Rev. *B

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S29GL128P90TFIR20	CYPRESS	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56	获取价格
S29GL128P90TFIR20	INFINEON	High Performance Page Mode	获取价格
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