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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Transferred | 零件包装代码： | TSOP1 |
| 包装说明： | HTSSOP, TSSOP56,.8,20 | 针数： | 56 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | 3A991.B.1.A |
| HTS代码： | 8542.32.00.51 | 风险等级： | 3.92 |
| 最长访问时间： | 90 ns | 备用内存宽度： | 8 |
| 命令用户界面： | YES | 通用闪存接口： | YES |
| 数据轮询： | YES | JESD-30 代码： | R-PDSO-G56 |
| JESD-609代码： | e3 | 长度： | 18.4 mm |
| 内存密度： | 134217728 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 1 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 部门数/规模： | 128 |
| 端子数量： | 56 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | -40 °C |
| 组织： | 128MX1 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | HTSSOP | 封装等效代码： | TSSOP56,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 页面大小： | 8/16 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 3.3 V |
| 编程电压： | 3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 就绪/忙碌： | YES | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 部门规模： | 128K | 最大待机电流： | 0.000005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.11 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.5 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 切换位： | YES |
| 类型： | NOR TYPE | 宽度： | 14 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| S29GL128P90TFIR23 | INFINEON | High Performance Page Mode |
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| S29GL128P90TFIV10 | SPANSION | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
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| S29GL128P90TFIV12 | SPANSION | 3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology |
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| S29GL128S | SPANSION | GL-S MirrorBit Eclipse Flash Non-Volatile Memory Family |
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| S29GL128S10DHB010 | INFINEON | High Performance Page Mode |
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| S29GL128S10DHB013 | INFINEON | High Performance Page Mode |
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