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S29GL128P90TAIR10

更新时间： 2024-01-13 12:32:17

品牌	Logo	应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS		光电二极管内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
82页	901K
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Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56

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S29GL128P90TAIR10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP1
包装说明：	20 X 14 MM, MO-142EC, TSOP-56	针数：	56
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	3A991.B.1.A
HTS代码：	8542.32.00.51	风险等级：	5.37
最长访问时间：	90 ns	备用内存宽度：	8
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PDSO-G56
JESD-609代码：	e0	长度：	18.4 mm
内存密度：	134217728 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	1	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	128
端子数量：	56	字数：	134217728 words
字数代码：	128000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128MX1	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	HTSSOP	封装等效代码：	TSSOP56,.8,20
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
页面大小：	8/16 words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	240	电源：	3.3 V
编程电压：	3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
部门规模：	128K	最大待机电流：	0.000005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.11 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	3 V
标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	切换位：	YES
类型：	NOR TYPE	宽度：	14 mm
Base Number Matches：	1

S29GL128P90TAIR10 数据手册

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S29GL01GP

S29GL512P

S29GL256P

S29GL128P

1. Ordering Information

The ordering part number is formed by a valid combination of the following:

S29GL01GP

PACKING TYPE

= Tray (standard (Note 5))

= 7” Tape and Reel

= 13” Tape and Reel

MODEL NUMBER (V_IOrange, protection when WP# =V_IL)

01 = V_IO= V_CC= 2.7 to 3.6 V, highest address sector protected

02 = V_IO= V_CC= 2.7 to 3.6 V, lowest address sector protected

V1= V_IO= 1.65 to V_CC, V_CC= 2.7 to 3.6 V, highest address sector protected

V2= V_IO= 1.65 to V_CC, V_CC= 2.7 to 3.6 V, lowest address sector protected

R1= V_IO= V_CC= 3.0 to 3.6 V, highest address sector protected

R2= V_IO= V_CC= 3.0 to 3.6 V, lowest address sector protected

TEMPERATURE RANGE

= Industrial (–40°C to +85°C)

C = Commercial (0°C to +85°C)

PACKAGE MATERIALS SET

A = Pb (Note 1)

F = Pb-free

PACKAGE TYPE

T = 56-pin Thin Small Outline Package (TSOP) Standard Pinout(TSO56)

F = 64-ball Fortified Ball Grid Array, 1.0 mm pitch package (LAA064)

SPEED OPTION

90 = 90 ns

10 = 100 ns

11 = 110 ns

12 = 120 ns

13 = 130 ns

DEVICE NUMBER/DESCRIPTION

S29GL01GP, S29GL512P, S29GL256P, S29GL128P

3.0 Volt-only, 1024, 512, 256 and 128 Megabit Page-Mode Flash Memory, manufactured on 90 nm MirrorBit^®process

technology

Recommended Combinations

Recommended Combinations list configurations planned to be supported in volume for this device. Consult your local sales office to

confirm availability of specific recommended combinations and to check on newly released combinations.

Document Number: 002-00886 Rev. *B

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S29GL128P90TAIR10 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
S29GL128P90TFIR20	CYPRESS	完全替代	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56
S29GL128P90TFIR10	CYPRESS	完全替代	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56

与S29GL128P90TAIR10相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S29GL128P90TAIR12	SPANSION	获取价格	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology
S29GL128P90TAIR23	CYPRESS	获取价格	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56
S29GL128P90TAIV10	SPANSION	获取价格	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology
S29GL128P90TAIV12	SPANSION	获取价格	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology
S29GL128P90TFCR10	CYPRESS	获取价格	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56
S29GL128P90TFCR10	INFINEON	获取价格	High Performance Page Mode
S29GL128P90TFCR13	CYPRESS	获取价格	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56
S29GL128P90TFCR20	INFINEON	获取价格	High Performance Page Mode
S29GL128P90TFCR23	CYPRESS	获取价格	Flash, 128MX1, 90ns, PDSO56, TSOP-56
S29GL128P90TFI010	SPANSION	获取价格	3.0 Volt-only Page Mode Flash Memory featuring 90 nm MirrorBit Process Technology

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