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S29CD016J0PQAI133

更新时间: 2024-01-11 21:48:07
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS 内存集成电路闪存
页数 文件大小 规格书
89页 1244K
描述
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80

S29CD016J0PQAI133 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Active
包装说明:QFP-80Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.51
风险等级:5.04最长访问时间:54 ns
其他特性:SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK启动块:BOTTOM
命令用户界面:YES通用闪存接口:YES
数据轮询:YESJESD-30 代码:R-PQFP-G80
JESD-609代码:e0长度:20 mm
内存密度:16777216 bit内存集成电路类型:FLASH
内存宽度:32湿度敏感等级:3
功能数量:1部门数/规模:16,30
端子数量:80字数:524288 words
字数代码:512000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:-40 °C
组织:512KX32封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:QFP封装等效代码:QFP80,.7X.9,32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLATPACK
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):240
电源:1.8/2.6,2.6 V编程电压:2.7 V
认证状态:Not Qualified就绪/忙碌:YES
座面最大高度:3.35 mm部门规模:2K,16K
最大待机电流:0.00006 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.09 mA最大供电电压 (Vsup):2.75 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:0.8 mm
端子位置:QUAD处于峰值回流温度下的最长时间:30
切换位:YES类型:NOR TYPE
宽度:14 mmBase Number Matches:1

S29CD016J0PQAI133 数据手册

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PRELIMINARY  
S29CD-J and S29CL-J Flash  
Performance Characteristics  
Read Access Times  
75  
66  
56  
40  
Speed Option (MHz)  
(32 Mb only)  
54  
8
54  
8
54  
8
54  
8
Max Asynch. Access Time, ns (tACC  
Max Synch. Burst Access, ns (tBACC  
Min Initial Clock Delay (clock cycles)  
Max CE# Access Time, ns (tCE  
Max OE# Access time, ns (tOE  
)
)
5
5
5
4
54  
20  
54  
20  
54  
20  
54  
20  
)
)
Current Consumption (Max values)  
Typical Program and Erase Times  
90 mA  
50 mA  
50 mA  
60 µA  
Continuous Burst Read @ 75 MHz  
Program  
Erase  
Standby Mode  
18 µs  
1.0 s  
Double Word Programming  
Sector Erase  
Notice for the 32Mb S29CD-J and S29CL-J devices only:  
Please refer to the application note “Recommended Mode of Operation for Cypress® 110 nm S29CD032J/S29CL032J Flash  
Memory” publication number S29CD-CL032J_Recommend_AN for programming best practices.  
Document Number: 002-00948 Rev. *B  
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