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S29CD016J0PQAI133

更新时间： 2024-01-09 08:32:04

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赛普拉斯 - CYPRESS		内存集成电路闪存
页数	文件大小	规格书
89页	1244K
描述
Flash, 512KX32, 54ns, PQFP80, QFP-80

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S29CD016J0PQAI133 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	QFP-80	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.04	最长访问时间：	54 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE; BOTTOM BOOT BLOCK	启动块：	BOTTOM
命令用户界面：	YES	通用闪存接口：	YES
数据轮询：	YES	JESD-30 代码：	R-PQFP-G80
JESD-609代码：	e0	长度：	20 mm
内存密度：	16777216 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	32	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	16,30
端子数量：	80	字数：	524288 words
字数代码：	512000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	512KX32	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	QFP	封装等效代码：	QFP80,.7X.9,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLATPACK
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	240
电源：	1.8/2.6,2.6 V	编程电压：	2.7 V
认证状态：	Not Qualified	就绪/忙碌：	YES
座面最大高度：	3.35 mm	部门规模：	2K,16K
最大待机电流：	0.00006 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.09 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.75 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.5 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.6 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	INDUSTRIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	QUAD	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
切换位：	YES	类型：	NOR TYPE
宽度：	14 mm	Base Number Matches：	1

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S29CD032J

S29CD016J

S29CL032J

S29CL016J

3. Block Diagram

V_CC

V_SS

DQ_max–DQ0

Erase Voltage

Generator

Input/Output

Buffers

V_IO

WE#

RESET#

State

Control

ACC

WP#

Command

PGM Voltage

Generator

Data

Chip Enable

CE#

OE#

Output Enable

Y-Decoder

X-Decoder

Y-Gating

V_CC

Detector

Timer

Cell Matrix

ADV#

CLK

Burst

State

Control

Burst

Address

Counter

IND/

WAIT#

Amax-A0

Note

Address bus is A19–A0 for 32 Mb device, A18–A0 for 16 Mb device. Data bus is D31–DQ0.

Document Number: 002-00948 Rev. *B

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