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S2551

更新时间： 2024-11-14 04:06:59

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HAMAMATSU		光电二极管光电二极管
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2页	84K
描述
Si photodiode For visible to infrared precision photometry

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S2551 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
Reach Compliance Code：	unknown	HTS代码：	8541.40.60.50
风险等级：	5.59	其他特性：	HIGH SENSITIVITY
配置：	SINGLE	最大暗电源：	1 nA
红外线范围：	YES	标称光电流：	0.03 mA
安装特点：	THROUGH HOLE MOUNT	功能数量：	1
最高工作温度：	60 °C	最低工作温度：	-20 °C
光电设备类型：	PIN PHOTODIODE	峰值波长：	920 nm
最长响应时间：	0.000003 s	最小反向击穿电压：	30 V
最大反向电压：	5 V	半导体材料：	Silicon
形状：	RECTANGULAR	尺寸：	29.1 mm
子类别：	Photo Diodes	表面贴装：	NO
Base Number Matches：	1

S2551 数据手册

P H O T O D I O D E

Si photodiode

S2551

For visible to infrared precision photometry

S2551 is a Si photodiode having a long active area of 1.2 × 29.1 mm, designed for visible to infrared precision photometry.

Features

Applications

Long, narrow active area: 1.2 × 29.1 mm

High sensitivity

Analytical instruments

Optical measurement equipment

Low capacitance

ꢀ Absolute maximum ratings

Parameter

Reverse voltage

Operating temperature

Storage temperature

Symbol

VR Max.

Topr

Value

-20 to +60

-20 to +80

Unit

°C

Tstg

ꢀ Electrical and optical characteristics (Ta=25 °C)

Parameter

Symbol

Condition

Min.

Typ.

320 to 1060

920

Max.

Unit

A/W

µA

times/°C

µs

Spectral response range

Peak sensitivity wavelength

λp

0.6

0.37

1.15

1.4

350

λ=λp

λ=663 nm

100 lx

Photo sensitivity

Short circuit current

Dark current

Isc

VR=10 mV

Temperature coefficient of I

TCID

Rise time

VR=0 V, RL=1 kΩ

VR=0 V, f=10 kHz

VR=10 mV

Terminal capacitance

Shunt resistance

Noise equivalent power

Rsh

NEP

0.01

0.03

GΩ

3.9 × 10^-14

W/Hz^1/2

VR=0 V, λ=λp

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
S2551_15	HAMAMATSU	获取价格	Si photodiode
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