5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.9 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 12 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 3 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 3 A | 最大漏源导通电阻： | 0.042 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 |
| JESD-609代码： | e2 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 6 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.7 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RW1A107M1012MSS | SAMWHA |
获取价格 |
CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 10V, 100uF, THROUGH HOLE MOUNT, RA |
|
| RW1A337M12020SS | SAMWHA |
获取价格 |
CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 10V, 330uF, THROUGH HOLE MOUNT, RA |
|
| RW1A476M0811MPG | SAMWHA |
获取价格 |
CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 10V, 47uF, THROUGH HOLE MOUNT, RAD |
|
| RW1C015UN | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Nch MOSFET |
|
| RW1C015UNT2R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal |
|
| RW1C020UN | ROHM |
获取价格 |
1.5V Drive Nch MOSFET |
|
| RW1C020UNT2R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| RW1C025ZPT2CR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
|
| RW1CT52A18R9D | KOA |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 18.9ohm, 130V, 0.5% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount, |
|
| RW1CT52A25R8D | KOA |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 25.8ohm, 130V, 0.5% +/-Tol, 20ppm/Cel, Through Hole Mount, |
|
纳微科技震撼发布GaNSlim革新氮化镓功率芯片
意法半导体发布第四代SiC技术，助力电动汽车电驱
联发科推出全球首款3纳米汽车芯片CT-X1，挑战高通SA8295
国家大基金减持三家半导体企业，市场反应各异
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
