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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Not Recommended | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-F6 |
| 针数： | 6 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 7.94 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 1.4 A | 最大漏极电流 (ID)： | 1.4 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.24 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-F6 | JESD-609代码： | e2 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 6 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.7 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | Tin/Copper (Sn/Cu) | 端子形式： | FLAT |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 10 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RW1E015RP | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Pch MOSFET |
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| RW1E015RPT2R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| RW1E025RP | ROHM |
获取价格 |
4V Drive Pch MOSFET |
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| RW1E025RPT2CR | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor, 2.5A I(D), 30V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal |
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| RW1E025RPT2R | ROHM |
获取价格 |
Small Signal Field-Effect Transistor |
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| RW1E107M10020SS | SAMWHA |
获取价格 |
CAPACITOR, ALUMINUM ELECTROLYTIC, NON SOLID, POLARIZED, 25V, 100uF, THROUGH HOLE MOUNT, RA |
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| RW-1F.1305%T | RCD |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 0.13ohm, 500V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel |
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| RW-1F1.15%B | RCD |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 1.1ohm, 500V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel |
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| RW-1F1305%T | RCD |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 130ohm, 500V, 5% +/-Tol, 100ppm/Cel |
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| RW-1F24010%B | RCD |
获取价格 |
Fixed Resistor, Wire Wound, 1W, 240ohm, 500V, 10% +/-Tol, 100ppm/Cel |
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