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RUM003N02T2L

更新时间： 2024-02-13 00:52:13

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罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	101K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VMT3, 3 PIN

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RUM003N02T2L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.98
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RUM003N02T2L 数据手册

RUM003N02

Transistor

1.8V Drive Nch MOSFET

RUM003N02

zDimensions (Unit : mm)

zStructure

Silicon N-channel

MOSFET

VMT3

zApplications

Switching

(1)Base(IN)(Gate)

zFeatures

1) Low on-resistance.

(2)Emitter(GND)(Source)

(3)Collector(OUT)(Drain)

Abbreviated symbol : QT

2) Fast switching speed.

3) Low voltage drive (1.8V) makes this device ideal for

portable equipment.

4) Drive circuits can be simple.

5) Parallel use is easy.

zPackaging specifications

zEquivalent circuit

Drain

Package

Code

Taping

T2L

Type

Basic ordering unit

(pieces)

8000

RUM003N02

Gate

∗2

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

∗1

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

Limits

Unit

Source

∗1 ESD PROTECTION DIODE

∗2 BODY DIODE

VDSS

GSS

Continuous

Pulsed

300

°C

Drain current

∗

600

∗

Total power dissipation

Channel temperature

150

Tch

150

Range of storage temperature

Tstg

−55 to +150

°C

∗1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

∗2 Each terminal mounted on a recommended land

zThermal resistance

Parameter

Symbol

Rth(ch-a) ^∗

Limits

833

Unit

Channel to ambient

∗ Each terminal mounted on a recommended land

°C / W

Rev.B

1/3

12 3 4

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