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RUM003N02T2L

更新时间： 2024-02-28 01:48:22

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罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	101K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VMT3, 3 PIN

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RUM003N02T2L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.98
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RUM003N02T2L 数据手册

RUM003N02

Transistor

zElectrical characteristics (Ta=25°C)

Symbol Min.

Typ.

−

Max.

−

Unit

µA

Conditions

VGS= 8V, VDS=0V

Parameter

GSS

(BR)DSS

DSS

GS(th)

−

Gate-source leakage

−

D=1mA, VGS=0V

Drain-source breakdown voltage

−

1.0

1.2

1.4

−

µA

DS=20V, VGS=0V

Zero gate voltage drain curren

0.3

−

DS=10V, I =1mA

Gate threshold voltage

0.7

0.8

1.0

−

Ω

=300mA, VGS=4.0V

=300mA, VGS=2.5V

=300mA, VGS=1.8V

=300mA, VDS=10V

DS=10V

Static drain-source on-state

resistance

∗

RDS(on)

−

Ω

−

Ω

∗

|Yfs

400

−

Forward transfer admittance

Input capacitance

iss

oss

rss

d(on)

−

GS=0V

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

−

f=1MHz

∗

−

D=150mA, VDD 10V

∗

−

VGS=4.0V

Turn-off delay time

d(off)

−

RL=67Ω

Fall time

−

=10Ω

∗ Pulsed

zBody diode characteristics (Source-drain) (Ta=25°C)

Parameter

Symbol Min. Typ. Max.

Conditions

Unit

∗

Forward voltage

−

1.2

I_S= 100mA, V_GS=0V

∗ Pulsed

zElectrical characteristic curves

DS=10V

GS=4V

GS=2.5V

Pulsed

0.1

0.01

Ta=125°C

75°C

Ta=125°C

75°C

25°C

−25°C

Ta=125°C

75°C

25°C

−25°C

0.001

0.0001

0.00001

0.1

0.01

0.1

0.01

0.0

0.5

1.0

1.5

0.1

DRAIN CURRENT : I

0.1

DRAIN CURRENT : ID (A)

GATE-SOURCE VOLTAGE : VGS (V)

(A)

Fig.1 Typical transfer characteristics

Fig.2 Static drain-source on-state

Fig.3 Static drain-source on-state

resistance vs. drain current (ΙΙ)

resistance vs. drain current (Ι)

Rev.B

2/3

123 4

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