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RUM003N02T2L

更新时间： 2024-01-15 04:29:54

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	101K
描述
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, VMT3, 3 PIN

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RUM003N02T2L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	7.98
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.3 A	最大漏极电流 (ID)：	0.3 A
最大漏源导通电阻：	1.4 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-F3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子形式：	FLAT
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RUM003N02T2L 数据手册

RUM003N02

Transistor

100

GS=1.8V

GS=0V

Ta=25°C

Pulsed

f=1MH

VGS=0V

Ta=125°C

75°C

25°C

−25°C

Ciss

Ta=125°C

75°C

25°C

−25°C

0.1

Coss

rss

0.1

0.01

0.0

0.1

DRAIN CURRENT : I

0.01

0.1

100

0.5

1.5

(A)

DRAIN-SOURCE VOLTAGE : VDS (V)

SOURCE-DRAIN VOLTAGE : VSD (V)

Fig.4 Static drain-source on-state

Fig.6 Typical capacitance vs.

drain-source voltage

Fig.5 Source current vs.

source-drain voltage

resistance vs. drain current (ΙΙΙ)

1000

100

Ta=25°C

DD=10V

GS=4V

=10Ω

Pulsed

d(off)

td^f(on)

0.01

0.1

DRAIN CURRENT : ID (A)

Fig.7 Switching characteristics

zSwitching characteristics measurement circuit

Pulse width

90%

50%

10%

50%

D.U.T.

10%

90%

d (on)

d (off)

off

Fig.8 Switching time measurement circuit

Fig.9 Switching time waveforms

Rev.B

3/3

1 234

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