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RUM002N05T2L

更新时间： 2024-01-02 14:19:58

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罗姆 - ROHM		驱动
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7页	130K
描述
1.2V Drive Nch MOSFET

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RUM002N05T2L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	2.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RUM002N05T2L 数据手册

1.2V Drive Nch MOSFET

RUM002N05

 Structure

 Dimensions (Unit : mm)

Silicon N-channel MOSFET

VMT3

Features

1) High speed switing.

2) Small package(VMT3).

3)Ultra low voltage drive(1.2V drive).

Abbreviated symbol : RH

 Application

Switching

 Packaging specifications

 Inner circuit

Package

Taping

T2L

(3)

Type

Code

Basic ordering unit (pieces)

8000



∗1

RUM002N05

∗2

 Absolute maximum ratings (Ta = 25C)

Parameter

(1)

(2)

(1) GATE

(2) SOURCE

(3) DRAIN

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

∗1 BODY DIODE

∗2 ESD PROTECTION DIODE

Drain-source voltage

Gate-source voltage

8

Continuous

200

800

125

C

Drain current

Pulsed

I_DP

I_S

Continuous

Pulsed

Source current

(Body Diode)

I_SP

800

Power dissipation

P_D

150

Channel temperature

Tch

Tstg

150

Range of storage temperature

*1 Pw10s, Duty cycle1%

55 to +150

C

*2 Each terminal mounted on a recommended land.

 Thermal resistance

Parameter

Symbol

Rth (ch-a)^*

Limits

833

Unit

Channel to Ambient

C / W

* Each terminal mounted on a recommended land.

www.rohm.com

2010.02 - Rev.A

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