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RUM002N05T2L

更新时间： 2024-01-10 14:18:16

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罗姆 - ROHM		驱动
页数	文件大小	规格书
7页	130K
描述
1.2V Drive Nch MOSFET

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RUM002N05T2L 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	16 weeks
风险等级：	1.7	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	50 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	0.2 A
最大漏极电流 (ID)：	0.2 A	最大漏源导通电阻：	2.4 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-F3
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Powers
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

RUM002N05T2L 数据手册

RUM002N05

Data Sheet

Electrical characteristics (Ta = 25C)

Parameter

Symbol

I_GSS

Min.

Typ.

Max.

Unit

A V_GS=8V, V_DS=0V

I_D=1mA, V_GS=0V

A V_DS=50V, V_GS=0V

Conditions

Gate-source leakage

10

Drain-source breakdown voltage V_(BR)DSS

Zero gate voltage drain current

Gate threshold voltage

I_DSS

V_{GS (th)}

0.3

1.0

2.2

2.4

2.7

4.0

7.2

V_DS=10V, I_D=1mA

1.6

1.7

1.9

2.0

2.4

I_D=200mA, V_GS=4.5V

I_D=200mA, V_GS=2.5V

I_D=100mA, V_GS=1.8V

I_D=40mA, V_GS=1.5V

I_D=20mA, V_GS=1.2V

I_D=200mA, V_DS=10V

Static drain-source on-state

resistance

R_{DS (on)}



Forward transfer admittance

Input capacitance

Output capacitance

Reverse transfer capacitance

Turn-on delay time

Rise time

l Y_fsl

C_iss

0.4

pF V_DS=10V

pF V_GS=0V

C_oss

C_rss

pF f=1MHz

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

ns I_D=100mA, V_DD30V

ns V_GS=4.5V

ns R_L=300

ns R_G=10

Turn-off delay time

Fall time

*Pulsed

Body diode characteristics (Source-Drain) (Ta = 25C)

Parameter

Forward voltage

Symbol

Min.

Typ.

Max. Unit

1.2

Conditions

V_SD

I_s=200mA, V_GS=0V

*Pulsed

www.rohm.com

2010.02 - Rev.A

2/5

123 4 5 6 7

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RUM002N05T2L 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RUU002N05T106	ROHM	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
RUC002N05T116	ROHM	功能相似	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与RUM002N05T2L相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RUM003N02	ROHM	2.5V Drive Nch MOSFET	获取价格
RUM003N02_1	ROHM	1.8V Drive Nch MOSFET	获取价格
RUM003N02T2L	ROHM	Small Signal Field-Effect Transistor, 0.3A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal	获取价格
RUM-050505	RECOM	Twin Independent Outputs	获取价格
RUM-3.30505	RECOM	Twin Independent Outputs	获取价格
RUMC31BD	SCHNEIDER	Power/Signal Relay,	获取价格