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RU35122R

更新时间： 2022-11-12 00:22:28

品牌	Logo	应用领域
锐骏半导体 - RUICHIPS		/
页数	文件大小	规格书
12页	490K
描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU35122R 数据手册

RU35122R

Typical Characteristics

Drain-Source On Resistance

Source-Drain Diode Forward

T_j- Junction Temperature (°C)

Capacitance

V_SD- Source-Drain Voltage (V)

Gate Charge

V_DS- Drain-Source Voltage (V)

Q_G- Gate Charge (nC)

CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd

Rev. C– MAR., 2011

www.ruichips.com

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