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RU3582R

更新时间： 2022-11-12 00:21:15
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锐骏半导体 - RUICHIPS /
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描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU3582R 数据手册

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RU3582R  
N-Channel Advanced Power MOSFET  
Features  
Pin Description  
• 40V/100A,  
R
DS (ON) =5mW(Type) @ VGS=10V,IDS=40A  
• Ultra Low On-Resistance  
• Fast Switching  
TO-220  
TO-263  
TO-220F  
TO-247  
• 100% avalanche tested  
• 175°C Operating Temperature  
• Lead Free,RoHS compliant  
Applications  
• Switching Application Systems  
• UPS  
N-Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Unit  
Common Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Noted)  
40  
±20  
VDSS  
VGSS  
TJ  
Drain-Source Voltage  
V
Gate-Source Voltage  
°C  
°C  
A
175  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Diode Continuous Forward Current  
TSTG  
IS  
-55 to 175  
100  
TC=25°C  
TC=25°C  
Mounted on Large Heat Sink  
①
400  
IDP  
300μs Pulse Drain Current Tested  
A
A
②
100  
TC=25°C  
TC=100°C  
TC=25°C  
TC=100°C  
ID  
Continuous Drain Current  
②
73  
107  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
53  
1.4  
RqJC  
Thermal Resistance-Junction to Case  
°C/W  
Drain-Source Avalanche Ratings  
③
576  
Avalanche Energy, Single Pulsed  
mJ  
EAS  
CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. B– MAR., 2011  
www.ruichips.com  
1234567...12

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