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RU3560L

更新时间： 2022-11-12 00:21:22
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锐骏半导体 - RUICHIPS /
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9页 328K
描述
N-Channel Advanced Power MOSFET

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RU3560L 数据手册

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RU3560L  
N-Channel Advanced Power MOSFET  
Features  
Pin Description  
• 40V/50A,  
R
R
DS (ON) =13mΩ(tpy.)@VGS=10V  
DS (ON) =18mΩ(tpy.)@VGS=4.5V  
• Super High Dense Cell Design  
• Reliable and Rugged  
• Fast Switching and Fully Avalanche Rated  
TO252  
• Lead Free and Green Devices Available  
(RoHS Compliant)  
Applications  
• Low Voltage Inverter Applications  
N-Channel MOSFET  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
Unit  
Common Ratings (TA=25°C Unless Otherwise Noted)  
40  
±20  
VDSS  
VGSS  
TJ  
Drain-Source Voltage  
V
Gate-Source Voltage  
°C  
°C  
A
175  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
Diode Continuous Forward Current  
TSTG  
IS  
-55 to 175  
50  
TC=25°C  
TC=25°C  
Mounted on Large Heat Sink  
①
200  
IDP  
300μs Pulse Drain Current Tested  
A
A
②
50  
TC=25°C  
TC=100°C  
TC=25°C  
TC=100°C  
ID  
Continuous Drain Current  
40  
50  
PD  
Maximum Power Dissipation  
W
25  
3
RqJC  
Thermal Resistance-Junction to Case  
°C/W  
Drain-Source Avalanche Ratings  
③
100  
Avalanche Energy, Single Pulsed  
mJ  
EAS  
CopyrightÓ Ruichips Semiconductor Co., Ltd  
Rev. A– FEB., 2011  
www.ruichips.com  
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