RSS100N03

更新时间： 2024-11-15 22:34:07

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罗姆 - ROHM		开关
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Switching (30V, 【10A)

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RSS100N03 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	10 A
最大漏极电流 (ID)：	10 A	最大漏源导通电阻：	0.0185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Copper (Sn/Cu)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RSS100N03 数据手册

RSS100N03

Transistor

Switching (30V, ±10A)

RSS100N03

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance.

SOP8

5.0±0.2

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small and Surface Mount Package (SOP8).

0.2±0.1

zApplications

Power switching, DC/DC converter.

(1)Source

(2)Source

(3)Source

(4)Gate

(5)Drain

(6)Drain

(7)Drain

(8)Drain

0.4±0.1

0.1

1.27

Each lead has same dimensions

zEquivalent circuit

zStructure

•Silicon N-channel MOS FET

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

(1) (2) (3) (4)

(1)Source

(2)Source

(3)Source

(4)Gate

(5)Drain

(6)Drain

(7)Drain

(8)Drain

(1)

(2)

(3)

(4)

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

Continuous

Pulsed

±10

Drain current

I_DP

±40

Continuous

Pulsed

I_S

1.6

Source current

(Body diode)

I_SP

6.4

Total power dissipatino

Channel temperature

Strage temperature

P_D

Tch

Tstg

150

°C

−55 to +150

1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

2 Mounted on a ceramic board.

1/3

12 3 4

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型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RSS100N03FU6TB	ROHM	功能相似	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RSS100N03FU6TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
RSS100N03HZG	ROHM	获取价格	本产品是符合AEC-Q101标准的车载级MOSFET。在SOP8封装中内置30V的Nch
RSS100N03TB	ROHM	获取价格	暂无描述
RSS101	ETC	获取价格	HUBZYLINDER KLEINER BAUHOEHE 10T
RSS-102-CD	ETC	获取价格
RSS-102-MD	ETC	获取价格
RSS105N03	ROHM	获取价格	Switching (30V, +/-0.5A)
RSS105N03TB	ROHM	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
RSS1100J	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 10ohm, 350V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole Mou
RSS1100JGT	KOA	获取价格	RESISTOR, METAL OXIDE FILM, 1W, 5%, 300ppm, 10ohm, THROUGH HOLE MOUNT, AXIAL LEADED

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