RSS110N03TB

更新时间： 2024-09-29 13:13:03

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		开关
页数	文件大小	规格书
4页	62K
描述
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0157ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, SOP-8

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RSS110N03TB 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.82	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	11 A
最大漏极电流 (ID)：	11 A	最大漏源导通电阻：	0.0157 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
JESD-609代码：	e2	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	2 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	44 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN COPPER	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

RSS110N03TB 数据手册

RSS110N03

Transistor

Switching (30V, ±11A)

RSS110N03

zExternal dimensions (Unit : mm)

zFeatures

1) Low on-resistance.

SOP8

5.0±0.2

2) Built-in G-S Protection Diode.

3) Small and Surface Mount Package (SOP8).

0.2±0.1

zApplications

Power switching, DC/DC converter.

(1)Source

(2)Source

(3)Source

(4)Gate

0.4±0.1

1.27

(5)Drain

(6)Drain

(7)Drain

(8)Drain

0.1

Each lead has same dimensions

zEquivalent circuit

zStructure

•Silicon N-channel MOS FET

(8)

(7)

(6)

(5)

(8) (7) (6) (5)

(1) (2) (3) (4)

(1)Source

(2)Source

(3)Source

(4)Gate

(5)Drain

(6)Drain

(7)Drain

(8)Drain

(1)

(2)

(3)

(4)

1 ESD PROTECTION DIODE

2 BODY DIODE

A protection diode is included between the gate and

the source terminals to protect the diode against static

electricity when the product is in use. Use the protection

circuit when the fixed voltages are exceeded.

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Drain-source voltage

Gate-source voltage

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Limits

Unit

Continuous

Pulsed

±11

Drain current

I_DP

±44

Continuous

Pulsed

I_S

1.6

Source current

(Body diode)

I_SP

6.4

Total power dissipatino

Channel temperature

Strage temperature

P_D

Tch

Tstg

150

°C

−55 to +150

1 Pw≤10µs, Duty cycle≤1%

2 Mounted on a ceramic board.

1/3

12 3 4

中文翻译

下载PDF

RSS110N03TB 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
RSS110N03FU6TB	ROHM	功能相似	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

与RSS110N03TB相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RSS-110U	ALTECH	获取价格	RS Series Relay Modules
RSS1123JGT	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 11500ohm, 350V, 5% +/-Tol,
RSS1150JC	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 14.7ohm, 350V, 5% +/-Tol,
RSS1180J	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 18ohm, 350V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole Mou
RSS1181J	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 180ohm, 350V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole Mo
RSS1182J	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 1800ohm, 350V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole M
RSS1183J	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 18000ohm, 350V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole
RSS11R2JGT	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 1.2ohm, 350V, 5% +/-Tol,
RSS11R3JT52	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 1.3ohm, 350V, 5% +/-Tol,
RSS11R5J	KOA	获取价格	Fixed Resistor, Metal Oxide Film, 1W, 1.5ohm, 350V, 5% +/-Tol, 200ppm/Cel, Through Hole Mo

与RSS110N03TB相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

27
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

23
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

22
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

35

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RSS110N03TB

RSS110N03TB 技术参数

RSS110N03TB 数据手册

RSS110N03TB 替代型号

与RSS110N03TB相关器件

与RSS110N03TB相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

RSS110N03TB

RSS110N03TB 技术参数

RSS110N03TB 数据手册

RSS110N03TB 替代型号

与RSS110N03TB相关器件

与RSS110N03TB相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？