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RN4908TE85L

更新时间： 2024-01-23 18:18:27

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东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
5页	239K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signal

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RN4908TE85L 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	6 pF	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN AND PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	250 MHz	VCEsat-Max：	0.3 V
Base Number Matches：	1

RN4908TE85L 数据手册

RN4908

TOSHIBA Transistor

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process) Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN4908

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

and Driver Circuit Applications

Unit: mm

z Including two devices in US6 (ultra super mini type with 6 leads)

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Equivalent Circuit and Bias Resister Values

R1: 22kΩ

R2: 47kΩ

(Q1, Q2 Common)

Q1 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

JEDEC

―

JEITA

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

TOSHIBA

2-2J1A

Weight: 6.8mg (typ.)

CBO

CEO

EBO

−50

−7

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

−100

Q2 Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

EBO

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

100

2007-11-01

12 3 4 5

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