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RN2704JE

更新时间： 2024-11-03 22:43:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关驱动
页数 文件大小 规格书
4页 105K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications

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RN2704JE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F5针数：5
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.6
其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：80JESD-30 代码：R-PDSO-F5
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.1 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz

RN2704JE 数据手册

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RN2701JE~RN2706JE  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) (Bias Resistor built-in Transistor)  
RN2701JE,RN2702JE,RN2703JE  
RN2704JE,RN2705JE,RN2706JE  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and  
Unit: mm  
Driver Circuit Applications.  
·
·
Two devices are incorporated into an Extreme-Super-Mini (5 pin)  
package.  
Incorporating a bias resistor into a transistor reduces parts count.  
Reducing the parts count enable the manufacture of ever more compact  
equipment and save assembly cost.  
Complementary to RN1701JE~RN1706JE  
·
Equivalent Circuit and Bias Resistor Values  
C
Type No.  
R1 (kW)  
R2 (kW)  
RN2701JE  
RN2702JE  
RN2703JE  
RN2704JE  
RN2705JE  
RN2706JE  
4.7  
10  
4.7  
10  
22  
47  
47  
47  
R1  
B
22  
47  
JEDEC  
JEITA  
―
―
―
E
2.2  
4.7  
TOSHIBA  
Weight:  
g (typ.)  
Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 common)  
Equivalent Circuit  
(top view)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Collector-base voltage  
V
V
-50  
-50  
-10  
-5  
V
V
CBO  
CEO  
RN2701JE~RN2706JE  
5
4
Collector-emitter voltage  
RN2701JE~RN2704JE  
RN2705JE, RN2706JE  
Q1  
Q2  
Emitter-base voltage  
V
V
EBO  
Collector current  
I
-100  
mA  
C
P
C
Collector power dissipation  
100  
mW  
(Note)  
1
2
3
RN2701JE~RN2706JE  
Junction temperature  
T
150  
°C  
°C  
j
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Note: Total rating  
1
2002-01-24  
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2704JE(TE85L,F) TOSHIBA

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 		Small Signal Bipolar Transistor

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