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RN2301(TE85L)

更新时间： 2024-11-20 20:47:23

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东芝 - TOSHIBA		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	449K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2301(TE85L) 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.86	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	30
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	200 MHz
Base Number Matches：	1

RN2301(TE85L) 数据手册

RN2301~RN2306

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2301,RN2302,RN2303

RN2304,RN2305,RN2306

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and

Driver Circuit Applications

z With built-in bias resistors

z Simplify circuit design

z Reduce a quantity of parts and manufacturing process

z Complementary to RN1301to1306

Equivalent Circuit

Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN2301

RN2302

RN2303

RN2304

RN2305

RN2306

4.7

USM

2.2

4.7

JEDEC

―

JEITA

SC-70

TOSHIBA

Weight: 0.006g

2-2E1A

Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

−50

−10

−5

CBO

CEO

RN2301~2306

Collector-emitter voltage

RN2301~2304

RN2305, 2306

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

−100

100

150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN2301~2306

stg

−55 to 150

°C

Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the

significant change in temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even

if the operating conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum

ratings.

Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook

(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test

report and estimated failure rate, etc).

2009-03-16

12 3 4 5 6 7

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN2301(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN2302	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
RN2302	KEXIN	获取价格	PNP Transistor
RN2302(T5L,PP,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2302(T5LMAA,F)	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
RN2302(TE85L)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN2302(TE85L,F)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR PNP 50V 0.1A SC-70
RN2302(TE85L2)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
RN2302(TE85R)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-2E1A, SC-70, 3 PIN, BIP Gener
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