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RN2130FV PDF预览

RN2130FV

更新时间： 2024-01-21 02:37:58
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 110K
描述
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-1L1A, VESM, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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RN2130FV 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-F3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.76其他特性：BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：50 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR最小直流电流增益 (hFE)：100
JESD-30 代码：R-PDSO-F3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.15 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：FLAT端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：200 MHzBase Number Matches：1

RN2130FV 数据手册

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RN2130FV  
TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)  
RN2130FV  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
and Driver Circuit Applications  
Unit : mm  
ꢀ
ꢀ
ꢀ
ꢀ
Built-in bias resistors  
1.2±0.05  
0.8±0.05  
Simplified circuit design  
Reduced quantity of parts and manufacturing process  
Complementary to RN1130FV  
1
2
3
Equivalent Circuit  
1.BASE  
2.EMITTER  
3.COLLECTOR  
VESM  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
JEDEC  
―
―
JEITA  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
2-1L1A  
TOSHIBA  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
V
V
−50  
−50  
V
V
CBO  
CEO  
EBO  
Weight : 0.0015mg (typ.)  
−10  
V
I
−100  
150  
mA  
mW  
°C  
°C  
0.5mm  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
C
0.45mm  
0.45mm  
T
j
150  
T
−55~150  
stg  
0.4mm  
Note: Mounted on FR4 board (25.4 mm × 25.4 mm × 1.6 mmt)  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C)  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= −50V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
I
I
I
V
V
V
V
―
―
―
―
−100  
−500  
−72  
―
nA  
nA  
uA  
CBO  
CEO  
EBO  
CB  
CB  
EB  
CE  
E
Collector cut-off current  
= −50V, I = 0  
B
Emitter cut-off current  
DC current gain  
= −10V, I = 0  
−38  
100  
―
―
C
h
= −5V, I = −10mA  
―
FE  
CE (sat)  
C
Collector-emitter saturation voltage  
Input voltage (ON)  
V
I
= −5mA, I = −0.25mA  
−0.1  
―
−0.3  
−8.2  
−1.6  
―
V
V
V
C
B
V
V
V
V
V
= −0.2V, I = −5mA  
−1.7  
−1.0  
―
I(ON)  
CE  
CE  
CE  
CB  
C
Input voltage (OFF)  
Transition frequency  
Collector output capacitance  
Input resistance  
V
I(OFF)  
= −5V, I =− 0.1mA  
―
C
f
= 10V, I = −5mA  
200  
3
MH  
z
T
C
C
ob  
= −10V, I = 0, f = 1MH  
―
―
pF  
E
z
R1  
70  
100  
1.0  
130  
1.2  
―
―
kΩ  
Resistance ratio  
R1/R2  
0.8  
2004-06-28  
1
1234

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN2130MFV TOSHIBA

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