5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.8 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 基于收集器的最大容量： | 6 pF | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 80 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G5 | 元件数量： | 2 |
| 端子数量： | 5 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | NPN |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | VCEsat-Max： | 0.3 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| RN1508TE85R | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
|
| RN1509 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | 50V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-353 |
|
| RN1509 | TOSHIBA |
获取价格 |
NPN x 2 Bias Resistor Built-in Transistors (B |
|
| RN1509(TE85L) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose |
|
| RN1509(TE85L,F) | TOSHIBA |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-25 |
|
| RN1509(TE85L2) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, |
|
| RN1509(TE85R) | TOSHIBA |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN, |
|
| RN-1509S | RECOM |
获取价格 |
1.25 Watt DIP8 Sigle Output |
|
| RN-1509S/H | ETC |
获取价格 |
CONV DC/DC 1.25W 15VIN 09VOUT |
|
| RN-1509S/HP | ETC |
获取价格 |
CONV DC/DC 1.25W 15VIN 09VOUT |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
