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RN1511

更新时间： 2024-11-18 22:43:51
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关驱动
页数 文件大小 规格书
5页 160K
描述
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit And Driver Circuit Applications

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RN1511 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：2-3L1A, SMV, 5 PIN
针数：5Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.75
风险等级：5.52其他特性：BUILT IN BIAS RESISTOR
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：6 pF
集电极-发射极最大电压：50 V配置：COMMON EMITTER, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：120JESD-30 代码：R-PDSO-G5
元件数量：2端子数量：5
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W认证状态：Not Qualified
子类别：BIP General Purpose Small Signal表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：250 MHz
VCEsat-Max：0.3 VBase Number Matches：1

RN1511 数据手册

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RN1510,RN1511  
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)  
RN1510,RN1511  
Unit: mm  
Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit  
And Driver Circuit Applications  
l Including two devices in SMV  
l (super mini type with 5 leads)  
l With built-in bias resistors  
l Simplify circuit design  
l Reduce a quantity of parts and manufacturing process  
l Complementary to RN2510~RN2511  
Equivalent Circuit  
JEDEC  
EIAJ  
―
―
TOSHIBA  
Weight: 0.014g  
2-3L1A  
Maximum Ratings (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  
Characteristic  
Symbol  
Rating  
Unit  
Equivalent Circuit  
(Top View)  
Collector-base voltage  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
Collector current  
V
CBO  
V
CEO  
V
EBO  
50  
50  
V
V
5
V
I
100  
mA  
mW  
°C  
°C  
C
Collector power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature range  
P
*
300  
C
T
150  
j
T
−55~150  
stg  
*:  
Total rating  
Electrical Characteristics (Ta = 25°C) (Q1, Q2 Common)  
Test  
Characteristic  
Symbol  
Test Condition  
= 50V, I = 0  
Min  
Typ.  
Max  
Unit  
Circuit  
―
Collector cut-off current  
Emitter cut-off current  
I
I
V
V
V
―
―
―
―
100  
100  
700  
0.3  
―
nA  
nA  
CBO  
CB  
EB  
CE  
E
―
= 5V, I = 0  
C
EBO  
DC current gain  
h
FE  
―
= 5V, I = 1mA  
120  
―
―
C
Collector-emitter saturation voltage  
Transition frequency  
V
―
I
= 5mA, I = 0.25mA  
C B  
0.1  
250  
3
V
CE (sat)  
f
―
V
V
= 10V, I = 5mA  
―
MHz  
pF  
T
CE  
C
Collector output capacitance  
C
―
= 10V, I = 0, f = 1MHz  
CB E  
―
6
ob  
RN1510  
Input resistor  
3.29  
7
4.7  
10  
6.11  
13  
R1  
―
kW  
RN1511  
1
2001-06-13  
12345

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与RN1511相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RN1511(TE85L,F) TOSHIBA

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 		PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-353
RN1511(TE85R) TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-3L1A, SMV, 5 PIN,
RN1511TE85L TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 100 mA, 50 V, 2 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose
RN-1512S RECOM

获取价格

 		1.25 Watt DIP8 Sigle Output
RN-1512S/H ETC

获取价格

 		CONV DC/DC 1.25W 15VIN 12VOUT
RN-1512S/HP ETC

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 		CONV DC/DC 1.25W 15VIN 12VOUT
RN-1512S/P ETC

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 		CONV DC/DC 1.25W 15VIN 12VOUT
RN-1512SHP RECOM

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 		1.25 Watt DIP8 Single Output
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 		1.25 Watt DIP8 Single Output
RN-1515S RECOM

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