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RN1222

更新时间： 2024-11-19 22:43:51

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
8页	311K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN1222 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	2-4E1A, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.9
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	65	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

RN1222 数据手册

RN1221,RN1222,RN1223,RN1224,RN1225,RN1226,RN1227

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1221,RN1222,RN1223,RN1224

RN1225,RN1226,RN1227

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

l High current type (I

= 800mA)

C(MAX)

l With built-in bias resistors.

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Low

VCE (sat)

l Complementary to RN2221~2227

Equivalent Circuit

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1221

RN1222

RN1223

RN1224

RN1225

RN1226

RN1227

2.2

4.7

2.2

4.7

JEDEC

―

EIAJ

0.47

TOSHIBA

Weight: 0.13g

2-4E1A

2.2

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

CBO

CEO

RN1221~1227

Collector-emitter voltage

RN1221~1224

RN1225, 1226

RN1227

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

800

300

150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1221~1227

−55~150

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6 7 8

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