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RN1227

更新时间： 2024-11-05 22:43:51

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
8页	311K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN1227 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	2-4E1A, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.89
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 4.54	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	90	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	峰值回流温度（摄氏度）：	240
极性/信道类型：	NPN	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	300 MHz
Base Number Matches：	1

RN1227 数据手册

RN1221,RN1222,RN1223,RN1224,RN1225,RN1226,RN1227

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1221,RN1222,RN1223,RN1224

RN1225,RN1226,RN1227

Unit: mm

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

l High current type (I

= 800mA)

C(MAX)

l With built-in bias resistors.

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Low

VCE (sat)

l Complementary to RN2221~2227

Equivalent Circuit

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1221

RN1222

RN1223

RN1224

RN1225

RN1226

RN1227

2.2

4.7

2.2

4.7

JEDEC

―

EIAJ

0.47

TOSHIBA

Weight: 0.13g

2-4E1A

2.2

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Symbol

Rating

Unit

Collector-base voltage

CBO

CEO

RN1221~1227

Collector-emitter voltage

RN1221~1224

RN1225, 1226

RN1227

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

800

300

150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1221~1227

−55~150

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6 7 8

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与RN1227相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN-123.3S	RECOM	获取价格	1.25 Watt DIP8 Sigle Output
RN-123.3S/H	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1.25W 12VIN 3.3VOUT
RN-123.3S/HP	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1.25W 12VIN 3.3VOUT
RN-123.3S/P	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1.25W 12VIN 3.3VOUT
RN-123.3SHP	RECOM	获取价格	1.25 Watt DIP8 Single Output
RN-123.3SP	RECOM	获取价格	1.25 Watt DIP8 Single Output
RN1241	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1241(TPE4)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1241A	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal
RN1241-A	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 300 mA, 20 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp