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RN1203

更新时间： 2024-01-29 22:25:49

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管 PC
页数	文件大小	规格书
6页	253K
描述
TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

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RN1203 技术参数

生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.52	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 1
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	6 pF
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	70	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	NO
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

RN1203 数据手册

RN1201~RN1206

TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)

RN1201,RN1202,RN1203,RN1204,RN1205,RN1206

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

Unit: mm

And Driver Circuit Applications

l With built-in bias resistors.

l Simplify circuit design

l Reduce a quantity of parts and manufacturing process

l Complementary to RN2201~2206

Equivalent Circuit and Bias Resistor Values

Type No.

R1 (kΩ)

R2 (kΩ)

RN1201

RN1202

RN1203

RN1204

RN1205

RN1206

4.7

2.2

4.7

JEDEC

EIAJ

―

TOSHIBA

Weight: 0.13g

2-4E1A

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristic

Collector-base voltage

Symbol

Rating

Unit

CBO

CEO

RN1201~1206

Collector-emitter voltage

RN1201~1204

RN1205, 1206

Emitter-base voltage

EBO

Collector current

100

300

150

−55~150

°C

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

RN1201~1206

°C

stg

2001-06-07

12 3 4 5 6

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与RN1203相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RN1203(TPE4)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1204	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN1204(TPE4)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 50 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, 2-4E1A, 3 PIN, BIP General Purp
RN1205	TOSHIBA	获取价格	TOSHIBA Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process)
RN-1205S	RECOM	获取价格	1.25 Watt DIP8 Sigle Output
RN-1205S/H	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1.25W 12VIN 05VOUT
RN-1205S/HP	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1.25W 12VIN 05VOUT
RN-1205S/P	ETC	获取价格	CONV DC/DC 1.25W 12VIN 05VOUT
RN-1205SHP	RECOM	获取价格	1.25 Watt DIP8 Single Output
RN-1205SP	RECOM	获取价格	1.25 Watt DIP8 Single Output