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RMA7N20ED1

更新时间： 2024-10-15 18:09:39

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RECTRON		栅
页数	文件大小	规格书
6页	399K
描述
Vdss (V) : 20 V;Id @ 25C (A) : 0.7 A;Rds-on (typ) (mOhms) : 180 mOhms;Total Gate Charge (nQ) typ : 1.1 nQ;Maximum Power Dissipation (W) : 0.55 W;Vgs(th) (typ) : 0.8 V;Input Capacitance (Ciss) : 40 pF;Polarity : N-Channel;Mounting Style : SMD/SMT;Package / Case : DFN1006-3

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RMA7N20ED1 数据手册

RMA7N20ED1

N-Channel Trench MOSFET

RMA7N20ED1

General Features

V_DS= 20V,I_D= 0.7A

R_DS(ON)< 0.26Ω @ V_GS=2.5V

R_DS(ON)< 0.22Ω @ V_GS=4.5V

Low On-Resistance

High fast switching

Halogen-free

Load switch

DFN1006-3

Package Marking And Ordering Information

Device Marking

Device

Device Package

Reel Size

Tape width

8 mm

Quantity

1606

RMA7N20ED1

DFN1006-3

Ø180mm

Absolute Maximum Ratings (T_A=25 unless otherwise noted)

Parameter

Symbol

V^DS

Limit

Unit

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V^GS

T_c=25

0.7

0.5

Continuous Drain Current (T_J=150

)

I_D

T_c=100

Drain Current-Pulsed ^{(Note 1)}

Maximum Power Dissipation

I_DM

P_D

0.55

Diode Continuous Forward Current

0.7

I_S

Operating Junction and Storage Temperature Range

-50 To 150

T_J,T_STG

Thermal Characteristic

Thermal Resistance,Junction-to-Ambient ^{(Note 2)}

R_θJA

100

2023-05/59

REV:A

12 3 4 5 6

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