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RJH65T14DPQ-A0_15

更新时间： 2022-02-26 12:02:04

品牌	Logo	应用领域
瑞萨 - RENESAS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	315K
描述
650V - 50A - IGBT

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RJH65T14DPQ-A0

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (IGBT)

D = 1

0.5

0.2

θ – c(t) = γs (t) • θ – c

j j

θ – c = 0.60°C/W, Tc = 25°C

0.05

0.1

P_DM

D =

0.02

0.01

1 shot pulse

0.01

10 μ

100 μ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (s)

Normalized Transient Thermal Impedance vs. Pulse Width (Diode)

D = 1

0.5

0.2

0.1

0.05

θ – c(t) = γs (t) • θ – c

θ – c = 1.33°C/W, Tc = 25°C

0.1

P_DM

D =

0.02

0.01

1 shot pulse

0.01

10 μ

100 μ

1 m

10 m

100 m

Pulse Width PW (s)

R07DS1256EJ0100 Rev.1.00

Mar 16, 2015

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