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RJH65T14DPQ-A0_15

更新时间： 2022-02-26 12:02:04

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瑞萨 - RENESAS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	315K
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650V - 50A - IGBT

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RJH65T14DPQ-A0

Typical Capacitance vs.

Dynamic Input Characteristics (Typical)

800 16

Collector to Emitter Voltage

10000

1000

100

V_GE

V_GE= 0 V Tc = 25

f = 1 MHz

°C

V_CC= 480 V

300 V

Cies

600

400

200

120 V

V_CE

Coes

Cres

V_CC= 480 V

300 V

I_C= 50 A

Ta = 25

°C

120 V

100

100 150 200 250 300

Collector to Emitter Voltage V_CE(V)

Gate Charge Qg (nC)

Reverse Recovery Time vs.

Forward Current (Typical)

Forward Current vs. Forward Voltage (Typical)

100

1000

800

600

400

200

V_CC= 300 V

di_F/dt = 300 A/us

Tc = 25°C

150°C

Tc = 150°C

25°C

V_CE= 0 V

Pulse Test

100

3 4

Forward Current I_F(A)

C-E Diode Forward Voltage V_CEF(V)

R07DS1256EJ0100 Rev.1.00

Mar 16, 2015

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