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RHR1K160D

更新时间： 2024-02-04 15:27:39
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 125K
描述
1A, 600V Hyperfast Dual Diode

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RHR1K160D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：2.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.025 µs表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

RHR1K160D 数据手册

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RHR1K160D  
o
Electrical Specifications (Per Leg) TA = 25 C, Unless Otherwise Specified  
SYMBOL  
TEST CONDITION  
MIN  
TYP  
MAX  
2.1  
1.7  
100  
500  
25  
-
UNITS  
V
VF  
IF = 1A  
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
-
o
IF = 1A, TA = 150 C  
-
V
IR  
VR = 600V  
-
µA  
µA  
ns  
o
VR = 600V, TA = 150 C  
IF = 1A, dIF/dt = 200A/µs  
IF = 1A, dIF/dt = 200A/µs  
IF = 1A, dIF/dt = 200A/µs  
IF = 1A, dIF/dt = 200A/µs  
VR = 10V, IF = 0A  
-
trr  
ta  
-
10.5  
5
ns  
tb  
-
ns  
QRR  
CJ  
20  
10  
-
-
nC  
pf  
-
2
o
R
Pad Area = 0.483 in (Note 1)  
50  
201  
239  
C/W  
θJA  
2
o
Pad Area = 0.027 in (Note 2) (Figure 13)  
-
C/W  
2
o
Pad Area = 0.006 in (Note 2) (Figure 13)  
-
C/W  
DEFINITIONS  
V
= Instantaneous forward voltage (pw = 300µs, D = 2%).  
F
I
= Instantaneous reverse current.  
R
t
= Reverse recovery time (See Figure 10), summation of t + t .  
a b  
rr  
t
= Time to reach peak reverse current (See Figure 10).  
a
t
= Time from peak I  
RM  
to projected zero crossing of I  
RM  
based on a straight line from peak I  
through 25% of I  
(See Figure 10).  
b
RM  
RM  
Q
= Reverse recovery charge.  
rr  
C = Junction Capacitance.  
J
R
= Thermal resistance junction to ambient.  
θJA  
pw = Pulse width.  
D = Duty cycle.  
NOTES:  
1. Measured using FR-4 copper board at 0.8 seconds.  
2. 2. Measured using FR-4 copper board at 1000 seconds.  
Typical Performance Curve  
10  
1
10  
o
150 C  
o
100 C  
o
100 C  
o
o
25 C  
150 C  
0.1  
1
0.01  
0.001  
o
25 C  
0.1  
0
0.5  
1
1.5  
2
2.5  
3
3.5  
4
0
100  
200  
300  
400  
500  
600  
V , FORWARD VOLTAGE (V)  
V
, REVERSE VOLTAGE (V)  
F
R
FIGURE 1. FORWARD CURRENT vs FORWARD VOLTAGE  
FIGURE 2. REVERSE CURRENT vs REVERSE VOLTAGE  
2
1234567...9

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与RHR1K160D相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
RHR1K160D96 RENESAS

获取价格

 		1A, 600V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, MS-012AA, PLASTIC, SO-8
RHR1Y75120CC ETC

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 		COMMON CATHODE DIODE ARRAY|TO-264AA
RHR2BL-S PANDUIT

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 		Thermal Transfer Resin Ribbon
RHR4BL-S PANDUIT

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