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RHR1K160D PDF预览

RHR1K160D

更新时间： 2024-01-02 17:17:46
品牌 Logo 应用领域
英特矽尔 - INTERSIL 二极管光电二极管局域网
页数 文件大小 规格书
9页 125K
描述
1A, 600V Hyperfast Dual Diode

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RHR1K160D 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：R-PDSO-G8针数：8
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.80风险等级：5.84
Is Samacsys：N其他特性：FREE WHEELING DIODE
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS二极管元件材料：SILICON
二极管类型：RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码：MS-012AA
JESD-30 代码：R-PDSO-G8元件数量：2
端子数量：8最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C最大输出电流：1 A
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE最大功率耗散：2.5 W
认证状态：Not Qualified最大重复峰值反向电压：600 V
最大反向恢复时间：0.025 µs表面贴装：YES
技术：AVALANCHE端子形式：GULL WING
端子位置：DUALBase Number Matches：1

RHR1K160D 数据手册

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RHR1K160D  
Typical Performance Curve (Continued)  
35  
30  
25  
20  
o
20  
T
= 100 C, dI /dt = 200A/µs  
F
A
o
= 25 C, dI /dt = 200A/µs  
T
A
F
t
rr  
16  
12  
8
t
rr  
t
b
t
a
15  
10  
t
t
a
b
4
5
0
0
0.1  
0.5  
I , FORWARD CURRENT (A)  
1
0.1  
0.5  
I , FORWARD CURRENT (A)  
1
F
F
FIGURE 3. t , t AND t CURVES vs FORWARD CURRENT  
rr  
FIGURE 4. trr, ta AND tb CURVES vs FORWARD CURRENT  
a
b
1.0  
50  
40  
30  
20  
10  
0
o
= 50 C/W  
o
R
T
= 150 C, dI /dt = 200A/µs  
F
θJA  
A
DC  
0.8  
0.6  
SQ. WAVE  
t
rr  
t
b
0.4  
0.2  
0
t
a
25  
50  
75  
100  
125  
150  
0.1  
0.5  
I , FORWARD CURRENT (A)  
1
o
T , AMBIENT TEMPERATURE ( C)  
F
A
FIGURE 5. trr, ta AND tb CURVES vs FORWARD CURRENT  
FIGURE 6. CURRENT DERATING CURVE  
50  
40  
30  
20  
10  
0
0
20  
40  
60  
80  
100  
V
, REVERSE VOLTAGE (V)  
R
FIGURE 7. JUNCTION CAPACITANCE vs REVERSE VOLTAGE  
3
1234567...9

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与RHR1K160D相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
RHR1K160D96 RENESAS 1A, 600V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE, MS-012AA, PLASTIC, SO-8

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