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RGSX5TS65DHR

更新时间： 2024-11-20 11:08:15

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罗姆 - ROHM		/
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13页	5282K
描述
RGSX5TS65DHR是短路耐受时间为8µs、非常适用于车载和工业设备中的通用逆变器的产品。符合AEC-Q101标准。

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RGSX5TS65DHR 数据手册

RGSX5TS65DHR

650V 75A Field Stop Trench IGBT

Datasheet

lOutline

TO-247N

V_CES

I_{C (100°C)}

V_{CE(sat) (Typ.)}

P_D

650V

75A

1.7V

404W

(1)(2)(3)

lInner Circuit

(2)

lFeatures

1) Low Collector - Emitter Saturation Voltage

2) Short Circuit Withstand Time 8μs

3) Qualified to AEC-Q101

(1) Gate

(2) Collector

(3) Emitter

(1)

*1 Built in FRD

(3)

4) Built in Very Fast & Soft Recovery FRD

5) Pb - free Lead Plating ; RoHS Compliant

lPackaging Specifications

Packaging

Tube

Reel Size (mm)

lApplication

Tape Width (mm)

Type

450

General Inverter

Basic Ordering Unit (pcs)

for Automotive and Industrial Use

Packing Code

Marking

C11

RGSX5TS65D

lAbsolute Maximum Ratings (at T_C= 25°C unless otherwise specified)

Parameter

Collector - Emitter Voltage

Symbol

V_CES

V_GES

I_C

Value

650

±30

114

Unit

Gate - Emitter Voltage

T_C= 25°C

Collector Current

T_C= 100°C

I_C

Pulsed Collector Current

Diode Forward Current

Diode Pulsed Forward Current

Power Dissipation

225

I_CP

T_C= 25°C

I_F

T_C= 100°C

225

404

202

I_FP

T_C= 25°C

P_D

T_j

T_C= 100°C

Operating Junction Temperature

Storage Temperature

-40 to +175

-55 to +175

°C

T_stg

*1 Pulse width limited by T_jmax.

www.rohm.com

2021.01 - Rev.A

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