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RGR3B60KD2TRPBF

更新时间： 2024-11-25 20:01:19

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英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	309K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

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RGR3B60KD2TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	7.8 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	211 ns	标称接通时间 (ton)：	35 ns
Base Number Matches：	1

RGR3B60KD2TRPBF 数据手册

PD - 95036

IRGR3B60KD2PbF

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Features

V_CES= 600V

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Lead-Free

I_C= 4.2A, T_C=100°C

t_sc> 10µs, T_J=150°C

V_CE(on)typ. = 1.9V

n-channel

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

D-Pak

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

600

Units

Collector-to-Emitter Voltage

V_CES

Continuous Collector Current

Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)

Clamped Inductive Load current

Diode Continous Forward Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

Gate-to-Emitter Voltage

7.8

I_C@ T_C= 25°C

4.2

I_C@ T_C= 100°C

15.6

6.0

I_CM

I_LM

I_F@ Tc = 25°C

3.2

I_F@ Tc = 100°C

15.6

±20

I_FM

V_GE

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C

-55 to +150

T_J

Storage Temperature Range

Soldering Temperature Range, for 10 sec.

°C

T_STG

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

Thermal / Mechanical Characteristics

Parameter

Min.

–––

Typ.

–––

0.3

Max.

2.4

Units

R_θ

Junction-to-Case- IGBT

°C/W

Junction-to-Case- Diode

8.8

Junction-to-Ambient, (PCB Mount)

Weight

–––

www.irf.com

2/23/04

12 3 4 5 6 7...13

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与RGR3B60KD2TRPBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
RGR3B60KD2TRR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
RGR3B60KD2TRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
RGR5HXB37C15	VECTRON	获取价格	Temperature Compensated Crystal Oscillators
RGR5HYA17C10	VECTRON	获取价格	Temperature Compensated Crystal Oscillators
RGR7HXB37C15	VECTRON	获取价格	Temperature Compensated Crystal Oscillators
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RGS00TS65DHR	ROHM	获取价格	RGS00TS65DHR是一款具有低导通损耗特性的车载IGBT。适用于注重导通损耗的电动
RGS00TS65EHR	ROHM	获取价格	RGS00TS65EHR是一款具有低导通损耗特性的车载IGBT。适用于注重导通损耗的电动
RGS00TS65HR	ROHM	获取价格	RGS00TS65HR是一款具有低导通损耗特性的车载IGBT。适用于注重导通损耗的电动压
RGS100	OHMITE	获取价格	Potentiometer, Wire Wound, 75W, 100ohm, 10% +/-Tol

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