Datasheet > RGR3B60KD2TRPBF

RGR3B60KD2TRPBF

更新时间： 2024-02-26 22:38:58

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		电动机控制栅晶体管
页数	文件大小	规格书
13页	309K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

RGR3B60KD2TRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	最大集电极电流 (IC)：	7.8 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	211 ns	标称接通时间 (ton)：	35 ns
Base Number Matches：	1

RGR3B60KD2TRPBF 数据手册

IRGR3B60KD2PbF

= 18V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

(V)

Fig. 6 - Typ. IGBT Output Characteristics

Fig. 5 - Typ. IGBT Output Characteristics

T_J= 25°C; tp = 80µs

T_J= -40°C; tp = 80µs

= 18V

-40°C

25°C

150°C

VGE = 15V

VGE = 12V

VGE = 10V

VGE = 8.0V

0.0

1.0

2.0

(V)

3.0

4.0

(V)

Fig. 8 - Typ. Diode Forward Characteristics

Fig. 7 - Typ. IGBT Output Characteristics

tp = 80µs

T_J= 150°C; tp = 80µs

www.irf.com

1 2 345 6 7...13

下载PDF

与RGR3B60KD2TRPBF相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
RGR3B60KD2TRR	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3	获取价格
RGR3B60KD2TRRPBF	INFINEON	Insulated Gate Bipolar Transistor, 7.8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3	获取价格
RGR5HXB37C15	VECTRON	Temperature Compensated Crystal Oscillators	获取价格
RGR5HYA17C10	VECTRON	Temperature Compensated Crystal Oscillators	获取价格
RGR7HXB37C15	VECTRON	Temperature Compensated Crystal Oscillators	获取价格
RGR7HYA17C10	VECTRON	Temperature Compensated Crystal Oscillators	获取价格